隨著層間原子堆積順序的不同，范德華(vdW)材料的性質往往會發生顯著的變化，且這種順序很難控制。三層石墨烯(TLG)通常堆疊在半金屬ABA或具有門式可調帶隙的ABC半導體結構中，但后者僅是通過剝離產生的。在這里，我們提出了一種化學氣相沉積的方法來促進TLG的生長，從而大大提高了ABC結構域的比例和大小。其中的關鍵是襯底曲率可以穩定ABC域。通過調整襯底的曲率水平，獲得可控的ABC產量約為59%。轉移到器件襯底后，ABC分數仍然很高，傳輸測量結果確認了預期的ABC帶隙的可調性。襯底形貌工程學為大規模合成外延ABC-TLG和其他vdW材料提供了一條途徑。
Fig. 1 在反向擴散模式下通過CVD法外延生長TLG。
Fig. 2 TLG的電子結構和堆疊形態。
Fig. 3 曲率穩定的ABC-TLG。
Fig. 4 ABC-TLG和ABA-TLG的IR-SNOM和電子傳輸特性。
相關研究成果于2020年由美國賓夕法尼亞大學A.T.Charlie Johnson課題組，發表在Nature Communications (https://doi.org/10.1038/s41467-019-14022-3)上。原文：Large-area epitaxial growth of curvature-stabilized ABC trilayer graphene
