一維（1D）垂直氮化物是非常有吸引力的發(fā)光二極管（LED）的應(yīng)用，因為它們有助于克服傳統(tǒng)GaN平面結(jié)構(gòu)的缺點。然而，作為典型的一維GaN結(jié)構(gòu)，GaN多量子阱（MQW）納米線（NW）LED的內(nèi)部量子效率（IQE）仍然很低，無法取代標準的平面LED。在這里，我們報告了一種通過引入石墨烯量子點（GQD）的核殼InGaN/GaN NW LED的光放大現(xiàn)象。當尺寸為5、10和20 nm的GQDs單獨位于多量子阱中或同時位于多量子阱和p-GaN表面時，光致發(fā)光（PL）和電致發(fā)光（EL）強度顯著增強，但當尺寸為30和40 nm的GQDs時，PL和EL增加較少，這與尺寸相關(guān)的光輸出功率（OOP）和光提取效率（LEE）一致。GQD和MQW之間的載流子轉(zhuǎn)移受尺寸相關(guān)的帶隙變化和取決于是否在LED上施加正向偏置的帶廓的強烈影響。這解釋了為什么PL和EL光譜顯示GQD的不同尺寸依賴性。通過在LED中加入GQD，OOP的變化由IQE而不是LEE控制。本研究的發(fā)現(xiàn)突出了通過在多量子阱和p-GaN表面引入GQD的簡單方法顯著增強GaN多量子阱NW LED的光發(fā)射，并且在廣泛的光電子器件中具有很好的應(yīng)用前景。
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圖1. （a） 在4英寸圖案化藍寶石襯底上制造的典型p–n InGaN/GaN多量子阱核殼NW示意圖。將膠體GQDs溶液噴涂到多量子阱和/或p-GaN表面。（b） 由p-GaN、n-GaN和MQW組成的典型NW的頂面示意圖。（c和d）分別為無/有GQD的典型NWs的b部分藍色標記區(qū)域的低倍HRTEM圖像。（e和f）NW頂面附近區(qū)域的高倍HRTEM圖像，如d部分中的綠色和紅色標記，清楚地顯示了p-GaN上以及MQW和p-GaN之間存在GQD。
圖2. （a） 直徑為 ∼900 nm、長度為 ∼2 μm 的 NW 的傾斜視圖 SEM 圖像，表明整個區(qū)域的均勻性很高。（b） 無 GQD 的典型 p-n InGaN/GaN MQW 核殼西北示意圖。（c） 低倍率 HRTEM 圖像，顯示無 GQD 的三周期 MQW 活性層的均勻形成。在界面 InGaN/GaN MQWs 邊界附近未觀察到有缺陷的結(jié)構(gòu)。（d） 無 GQD 的 NW 中 MQW 的高倍率 HRTEM 圖像。（e） 具有 GQD 的典型 p-n InGaN/GaN MQW 核殼 NW 的示意圖。（f） HRTEM 圖像顯示 QB 層在包含 GQD 后厚度幾乎翻了一番。（g-j） SEM 和 HRTEM 圖像清楚地顯示了 GQD 在 NW 上部區(qū)域的 MQW 和 p-GaN 之間的井位置。
圖3. （a） 不同尺寸的GQD去離子水中 的 PL 譜圖。（b） 各種尺寸的帶 GQD 的 LED 的暗電流-電壓 （I-V） 特性。（c） MQW 和/或 p-GaN 表面無/有 ∼10 nm GQD 的 LED 的 PL 光譜。（d） 在 50 mA 的注入電流下，MQW 和/或 p-GaN 表面沒有/有 ∼10 nm GQD 的 LED 的 EL 光譜。
圖4. （a） 各種尺寸的 MQW 和 p-GaN 表面有 GQD 的 LED 的注入電流依賴性 OOP，以及沒有 GQD 的 LED。（b） LED 的 LEE 隨各種尺寸的 GQD 密度的函數(shù)。在這里，僅對于沒有 GQD 的 LED，LEE 在上軸上繪制為 MQW 周期（或?qū)Γ┑暮瘮?shù)，從 3 到 10。
圖5. 當 （a） GQD 的能隙大于 MQW 的能隙，以及 （b） 相反的情況下，描述了具有GQDs. PL過程的典型 p-n InGaN/GaN MQW 核殼 NW 的帶圖。（C 和 D）分別是無偏和正向偏頻帶圖。當 GQD 的能量間隙大于 MQW 的能量間隙時，也會描述 EL 過程，反之亦然。
相關(guān)研究成果由慶熙大學Suk-Ho Choi課題組2025年發(fā)表在ACS Applied Materials & Interfaces (鏈接：https://doi.org/10.1021/acsami.4c20553)上。原文：Strong Enhancement of Light Emission in Core–Shell InGaN/GaN Multi-Quantum-Well Nanowire Light-Emitting Diodes by Incorporating Graphene Quantum Dots
轉(zhuǎn)自《石墨烯研究》公眾號
